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MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR相关型号
  • MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR

    闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb(256M x 16)(NAND),2Gb(64M x 32)(LPDRAM) 并联 200 MHz 137-VFBGA(13x10.5)

  • MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR

    闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb(512M x 8)(NAND),2Gb(64M x 32)(LPDRAM) 并联 200 MHz 137-VFBGA(13x10.5)

  • MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR

    闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 2Gb(128M x 16)(NAND),1Gb(32M x 32)(LPDRAM) 并联 200 MHz 130-VFBGA(8x9)

  • MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR

    闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 2Gb(128M x 16)(NAND),1Gb(32M x 32)(LPDRAM) 并联 200 MHz 137-TFBGA(10.5x13)

  • JS28F128P30BF75A

    FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 40 MHz 75 ns 56-TSOP

  • PC28F128P30TF65A

    FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 52 MHz 65 ns 64-EasyBGA(10x13)

  • RC48F4400P0VB0EA

    FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 52 MHz 100 ns 64-EasyBGA(8x10)

  • PC48F4400P0VB0EA

    FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 52 MHz 100 ns 64-EasyBGA(10x13)

Micron热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR

  • 制造商:Micron
  • 批号:23+
  • 描述:动态随机存取存储器 LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 类型SDRAM Mobile - LPDDR4
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体VFBGA-200
  • 数据总线宽度32 bit
  • 组织1 G x 32
  • 存储容量32 Gbit
  • 最大时钟频率2.133 GHz
  • 访问时间
  • 电源电压-最大1.1 V
  • 电源电压-最小
  • 电源电流—最大值
  • 最小工作温度
  • 最大工作温度
  • 系列
  • 封装

其它信息

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