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M29F400BB70N1相关型号
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    SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 200 MHz 5 ns 60-VFBGA(8x9)

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    SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 166 MHz 5 ns 60-VFBGA(8x9)

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    闪存 - NAND 存储器 IC 256Gb(32G x 8) MMC 153-TFBGA(11.5x13)

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    闪存 - NAND 存储器 IC 256Gb(32G x 8) MMC 153-VFBGA(11.5x13)

  • MTFC32GAKAEJP-5M AIT

    闪存 - NAND 存储器 IC 256Gb(32G x 8) MMC 153-VFBGA(11.5x13)

  • MTFC32GAKAEJP-4M IT

    闪存 - NAND 存储器 IC 256Gb(32G x 8) MMC 153-VFBGA(11.5x13)

  • MTFC16GAPALBH-AIT

    闪存 - NAND 存储器 IC 128Gb(16G x 8) MMC 153-TFBGA(11.5x13)

Micron热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • M29F400BB70N1

  • 制造商:Micron Technology Inc.
  • 批号:23+
  • 描述:FLASH - NOR 存储器 IC 4Mb(512K x 8,256K x 16) 并联 70 ns 48-TSOP
  • PDF下载:
  • 库存数量:5000+

优势价格,M29F400BB70N1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商Micron Technology Inc.
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量4Mb(512K x 8,256K x 16)
  • 存储器接口并联
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP

其它信息

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